技术细节

• 零件状态 Active
• 类型 MOSFET
• 配置 2 Independent
• 电流 33 A
• 电压 650 V
• 电压隔离 5000Vrms
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads